Henniker Plasma Related References

電漿表面蝕刻 (Plasma Etching)

電漿表面蝕刻是一種用來增加表面micro等級材料區塊的處理方式,讓物件的表面用反應氣體來進行蝕刻。

表面的材料被蝕刻掉,轉化為氣體並由真空系統去除,表面積大大增加,提高了表面性能,使材料易於浸濕。 電漿表面蝕刻於印刷、粘合和噴漆之前進行,特別適用於POM和PTFE這類製程,因這類材料若不使用腐蝕性化學品就無法印刷或黏合。

未處理表面

經電漿蝕刻表面

本影片將簡單說明電漿表面蝕刻如何進行:



反應離子蝕刻 提供了材料表面高度定向的高能反應離子流,如此一來,反應離子會將未掩蔽的部分蝕刻掉,以精準控制出特定形狀的基材。Henniker每套電漿系統都可以選擇配備反應離子蝕刻電極,使其成為半導體、有機電子研究等應用中效果好且低成本的最佳實驗室開發工具。

蝕刻前

蝕刻過程中

蝕刻後

電漿蝕刻適用於:

• POM、PTFE、FEP、PFA

• 聚四氟乙烯化合物

• 結構化矽

• 光刻膠灰化